在半导体材料GaP中，Ⅰ族元素的掺杂行为类似于其在GaAs中的表现，它们作为替代杂质起着关键作用。这些杂质的影响在GaP中的特性与GaAs中呈现出相似性。

然而，对于Ⅲ族和Ⅴ族元素，情况则有所不同。在GaP中，它们能形成独特的“等电子陷阱”现象，这是一种深能级结构。例如，氮(N)杂质引入后，会在材料中形成一个能级，这个能级可以俘获电子，其能量位置大约为-0.008电子伏(eV)。另一方面，铋(Bi)杂质则会在GaP中产生一个俘获空穴的深能级，这个能级的能量位置位于0.038eV正上方。这些深能级的出现对GaP的电学性质有着显著影响，它们在半导体器件的设计和性能优化中扮演着重要角色。

扩展资料

此概念属于半导体物理学范畴。 深能级杂质：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。 深能级杂质有三个基本特点：一是不容易电离，对载流子浓度影响不大。二是一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。三是能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。四是深能级杂质电离后以为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减小，导电性能下降。